本文为大家介绍三种常见的沉积薄膜的方法，包括：真空蒸镀（vacuum evaporation），磁控溅射（magnetron sputtering），电弧离子镀（arc ion plating/deposition），三种方法均属于物理气相沉积（PVD）。1、真空蒸镀

原理：真空蒸镀的原理极为简单，可以简单解释为，在真空室内通过加热使材料靶材蒸发，形成蒸汽流，同时保证待镀件较低的温度，使得靶材在待镀件表面凝固。

优缺点：优点是真空蒸镀无论是从原理上还是从方法上都比较简单。而其主要缺点是，靶材对于镀件几乎没有冲击，薄膜与基片（待镀件）的集合不是十分紧密，此外其镀膜速度较低，绕射性差（对基片的背面以及侧面的沉积能力），此方法只适合制备低熔点材料薄膜。

2、磁控溅射

原理：磁控溅射是在真空室内加入正交（有例外）的电磁场，空间中的电子在电磁场的作用下不断做螺旋线运动，电子运动撞击空间中稀有气体粒子（一般氮气、氩气），使其离化，离化了的粒子又会产生运动着的电子，继续撞击其他稀有气体粒子，于是电子越来越多，形成电子云环绕在阳离子周围，构成等离子体，阳离子在电场力的作用下作用下轰击靶材（靶材接负压），溅射出靶材离子，在基片上沉积。

优缺点：先说优点，与磁控溅射蒸镀相比磁控溅射的沉积速率有所上升，沉积薄膜的致密度有所加强，既可以沉积导体，半导体，亦可以绝缘体。缺点是，离化率较低，基片轰击不够强。

3、电弧离子镀

原理：实现电弧离子镀的第一步是引弧，其原理与电焊时的引弧类似。引起的弧斑在靶材上运动（可以通过磁场进行控制），利用电弧的高温和高压使靶材产生离化的气体，并在电场力的作用下轰击基片。

优缺点：优点是离化率高（可达100%），沉积速率大，轰击剧烈，膜层致密与基片结合好。缺点是由于电弧处的高温以及离化粒子的撞击，电弧离子镀极易产生一些大颗粒，这严重影响镀膜质量。

PVD,vacuum evaporation, magetron sputtering, arc ion plating/deposition.
靶材蒸气流，表面凝固。简单，集合不紧，速度低，绕射性差。低熔点材料薄膜。
真空正交电磁场，螺旋线运动，电子云环绕阳离子，等离子体，阳离子轰击靶材（负压），溅射离子沉积基片。沉积率升，致密度增，导体/半导体。离化率低，轰击基片不强。
引弧（类电焊），弧斑（磁场）运动，高温高压，离化气体，袭击（电场力）。离化率高100，沉积速率大，轰击剧烈，致密结合好。大颗粒（高温撞击）影响镀膜质量。

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