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电子能量损失谱应用举例
科研探索科技     2021-07-20 微信扫码分享  
20世纪70年代初,美国IBM实验室的Esaki和Tsu率先报道了AlGaAs/GaAs/AlGaAs Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱异质结构中的量子化效应。在此结构中,窄禁带的GaAs薄膜被夹在两层宽禁带的AlGaAs薄膜之间,导致载流子(电子和空穴)聚积并被有效束缚于GaAs薄膜中。
TEM数据分析及应用
1、对TEM材料分析设备的原理和数据分析方法讲解; 2、分享TEM测试样品的制备方法; 3、介绍正向标定TEM衍射花样的方法-高效准确的标定; 4、与TEM有关最新科研动态。
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