联合培养博士生（宽禁带半导体材料）·浙江大学杭州国际科创中心

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招生 / 微集成电路、微电子、材料、物理、电子科学与技术等相关专业 / 浙江杭州 / 博士

HYC 2022-10-19

研究方向如下：
方向1：半导体材料单晶生长工艺开发
方向2：半导体材料单晶生长设备设计与开发
方向3：半导体材料缺陷与杂质的第一性原理研究
方向4：半导体材料生长过程分子动力学或蒙特卡洛研究（生长行为和缺陷演化）

专业背景：微集成电路、微电子、材料、物理、电子科学与技术等相关专业
条件：现导师同意。具备文献阅读调研、英语写作和实验技能。
待遇：每月补贴+绩效
住宿：提供学生宿舍

实验室简介: 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室专注于宽禁带半导体材料相关的基础研究，重点突破以碳化硅、氧化镓和金刚石为代表的宽禁带半导体的生长、加工、外延及成套装备，解决一系列宽禁带半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动宽禁带半导体材料的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。研究室以中科院院士杨德仁教授、皮孝东教授为学术带头人，已有成员50多人。拥有中国科学院院士1人、浙江大学和浙江大学杭州科创中心特聘教授2人、科创百人5人、博士后和技术开发专家21人，工程师13人，博士占比54%。2021年研究室在Small、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materials等国际期刊发表SCI论文30余篇，申请国家发明专利60余项，其中授权11项，申请实用新型专利30余项，其中授权14项。

指导老师：黄渊超，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。2014年毕业于中国石油大学（华东）机电工程学院并获得学士学位，2019年6月于中国科学技术大学获得材料科学与工程博士学位，2020年9月到2022年9月在浙江大学杭州国际科创中心从事博士后研究。主要研究方向为宽禁带半导体单晶生长与掺杂。现已发表论文20余篇，其中一作/通信论文10篇。

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博士后（宽禁带半导体材料）·浙江大学杭州国际科创中心 (2022-10-19)

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