南开大学王小野课题组提出了通过BN-PAHs的“边缘工程”（periphery engineering）来实现高性能有机光电材料的策略。基于硼氮蒽（BNA）骨架，作者设计合成了四苯基硼氮蒽（TPBNA）和二苯基硼氮蒽（DPBNA）分子（图1）。外围苯基的数量可以显著调控分子的几何构型及固态下分子之间的电子耦合。其中，基于DPBNA的单晶OFET器件表现出高达1.3 cm2 V-1 s-1的空穴迁移率，远远高于TPBNA单晶的迁移率。这是目前报道的第一例迁移率可以超过1 cm2 V-1 s-1的BN-PAH，使得BN-PAHs能够首次跻身于高迁移率有机半导体行列，证明了“边缘工程”对于挖掘BN-PAHs的光电性能具有重要的价值。进一步研究表明，基于DPBNA单晶的光晶体管器件也展示出优异的光探测性质，揭示了BN-PAHs在光电器件中广泛的应用潜力。该工作近期发表在Angew. Chem. Int. Ed.上"BN-Anthracene for High-Mobility Organic Optoelectronic Materials through Periphery Engineering"
京公网安备11010802029412号 
