据上海交通大学官网报道，近日，上海交通大学物理与天文学院贾金锋实验团队与中国科学技术大学张振宇、崔萍课题组开展合作，在锡烯(stanene)材料中取得突破进展，实现了拓扑边缘态和超导在多层stanene薄膜中的共存。课题组通过分子束外延生长的方法并利用氢气作为活性剂，成功在Bi(111) 衬底上生长了多层(1-5) 锡烯薄膜，并且利用空间分辨的扫描隧道图谱在1-5 层锡烯薄膜上均探测到了规则且明显的边缘态分布。理论计算表明这一随层厚增加而稳定存在的拓扑特性是由Bi（111）衬底提供的强自旋轨道耦合环境以及多层stanene薄膜自身的拓扑非平庸性共同导致的。实验还发现该体系中的拓扑边缘态在A 型边缘具有非常短的双向穿透深度(<4nm)，这有利于进一步利用该边缘通道构建高密度的拓扑量子器件。此外，实验上在该体系中还测到了超导信号。其相干峰的强度在薄膜边缘处出现明显的干涉现象，表明体系的二维超导特性。超导和拓扑边缘态在同一体系中的共存为后续在多层锡烯体系中构建一维拓扑超导打下了基础。该成果以“Coexistence of Robust Edge States and Superconductivity in Few-Layer Stanene”为题在 Physical Review Letters上发表，并被选为编辑推荐。已毕业博士生赵晨晓为论文第一作者，上海交通大学贾金锋教授和中国科学技术大学崔萍教授为本文的共同通讯作者。