剑桥大学Samuel D. Stranks和冲绳科技大学院大学Keshav M. Dani课题组合作，开发了一个多峰显微镜工具包，以揭示在领先的富含甲脒的钙钛矿吸收体中，包括六方多型体和碘化铅夹杂物在内的纳米级相杂质不仅是光激发载流子的陷阱，而且通过同样的陷阱过程也是光降解吸收体层的位点。在与陷阱团簇相关的相杂质处观察到光照引起的结构变化，本工作发现即使是微量的这些相，否则无法用体积测量来检测，也会损害器件的寿命。这些不需要的相包裹体的类型和分布取决于薄膜的成分和加工，其中多型态的存在对薄膜的光稳定性最不利。重要的是，本工作揭示了性能损失和本征退化过程都可以通过调制这些缺陷相杂质来减轻，并证明这需要仔细调整局部结构和化学性质。这种关联光束敏感能源材料的纳米级景观的多模态工作流程将适用于尚未建立局部性能和操作稳定性图的半导体。相关论文以题为“Local Nanoscale Phase Impurities are Degradation Sites in Halide Perovskites”发表在Nature上。