香港理工大学的刘树平、中国人民大学的季威和剑桥大学的Manish Chhowalla（共同通讯作者）等人合作发表了最新工作，在通过可规模化的一步化学气相沉积（CVD）策略合成的无扭曲、相称（commensurate）和外延MoS₂/WS₂异质双层中，意外观测到了OOP铁电性和压电性。研究显示，该双层的d33压电常数为1.95-2.09皮米/伏，比单层In2Se3的自然OOP压电常数还要大6倍左右。通过改变MoS₂/WS₂异质双层的极化状态，研究还证明了相应铁电隧道结器件中隧穿电流可进行约三个数量级调制的行为。进一步的密度泛函理论显示，一步化学气相沉积策略可交替堆叠MoS₂/WS₂层，从而可在无需扭曲角或者摩尔畴的前提下进行对称打破和层间滑动，最终获得铁电/压电性能。香港理工大学的Lukas Rogée和中国人民大学的Lvjin Wang为共同第一作者，2022年5月26日，相关成果以题为“Ferroelectricity in untwisted heterobilayers of transition metal dichalcogenides”的文章发表在Science上。