据科学网报导，2022年6月2日，Chem期刊在线发表了武汉理工大学麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得的新进展，题为“Quadrupling the stored charge by extending the accessible density of states”。课题组通过在储能材料中原位构筑梯度费米面结构，拓宽了材料的嵌入能级，使得电极材料离子迁移速率提高10倍，材料容量提高3倍以上。晏梦雨、王佩瑶、潘雪雷为论文的共同第一作者，麦立强教授为论文的唯一通讯作者。本研究工作中，麦立强教授团队提出了调制材料费米能级结构实现储能芯片性能倍增的新思路，设计构筑了一种场效应储能芯片新架构，实现了电化学工况下材料费米面梯度的原位调控和性能提升。研究表明，通过在储能材料中原位构筑梯度费米面结构，拓宽了材料的嵌入能级。施加场效应后，离子迁移速率提高10倍，材料容量提高3倍以上。这一研究成果解决了费米面梯度对电化学反应影响机制不明确的科学难题，实现了纳米线容量与反应电势的协同提升，填补了场效应储能芯片领域的空白，为储能芯片在物联网等领域的应用奠定了科学基础。