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首次成功实现了二维h-BN的 n型导电和垂直p-n结器件
材料人测试客服小陈     15天前 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
光电子器件
关键性能:
为解决长期以来宽禁带半导体中n、p型导电严重不对称的根本性难题,开发新型二维深紫外光电子器件,提出了创新见解和技术路线
产品介绍:

厦门大学蔡端俊教授课题组、康俊勇教授团队在Nature Communications期刊发表了题为“Towards n-Type Conductivity in Hexagonal Boron Nitride”的最新研究成果论文。该论文创立了一套调控超宽禁带二维半导体导电类型的理论和掺杂技术,并在实验上首次成功实现了二维h-BN的 n型导电和垂直p-n结器件。该研究为解决长期以来宽禁带半导体中n、p型导电严重不对称的根本性难题,开发新型二维深紫外光电子器件,提出了创新见解和技术路线。本工作通过轨道耦合的杂质配位掺杂技术为克服h-BN中n型电导难题提供了可行的方案。h-BN中高效n型导电性的实现可有力推动基于双极性导电h-BN的新型二维深紫外光电器件的发展。另一方面,轨道耦合掺杂概念和技术的提出,也可以为宽禁带、超宽禁带半导体中杂质或缺陷能级的调控提供有力手段,并且帮助克服电导不对称的根本性难题。

产品来源:
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