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系统研究了Q-D-A聚合物的化学结构-光电性质-器件性能的互相作用规律
材料人测试客服小陈     2022-07-22 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
有机场效应晶体管(OFETs)
关键性能:
有效空穴迁移率最高可达3.35 cm2 V–1 s–1
产品介绍:

据贵州大学官网报导,近日,贵州大学刘迅成特聘教授团队的最新研究成果在国际顶级材料期刊《Advanced Functional Materials》(影响因子18.8,中科院一区TOP,2021年谷歌学术期刊“化学和材料科学”领域排名第九)上在线发表,这也是我院首次以贵州大学材料与冶金学院为第一完成单位在该期刊上发表论文,论文题目为“Unravelling the Role of Electron Acceptors for the Universal Enhancement of Charge Transport in Quinoid-Donor-Acceptor Polymers for High-Performance Transistors”,贵州大学硕士研究生梁欢欢、刘成和华南理工大学博士研究生张泽升为第一作者,贵州大学刘迅成特聘教授、华南理工大学陈军武教授和美国劳伦斯伯克利国家实验室刘毅高级研究员为通讯作者。刘迅成特聘教授团队及合作者通过改变Q-D-A共轭聚合物中的电子受体单元,有效调控了Q-D-A聚合物的LUMO能级、有效空穴质量、薄膜结晶性、结晶取向以及OFET器件的迁移率和工作稳定性,获得了综合性能更优异的Q-D-A聚合物,并系统研究了Q-D-A聚合物的化学结构-光电性质-器件性能的互相作用规律。对比于相应的给体-受体(D-A)聚合物,不仅所有的Q-D-A聚合物主链的共平面性显著提高,而且大部分Q-D-A聚合物的空穴迁移率增强了几个数量级,证明了Q-D-A策略在提高主链共平面性和载流子迁移率方面的高效性和普适性。有效空穴迁移率最高可达3.35 cm2 V–1 s–1,是基于传统旋涂加工方法的醌式聚合物中的最高值之一。此外,受体强度更强的受体单元有利于Q-D-A聚合物得到更小的有效空穴质量、形成更高的薄膜结晶度、更有序的edge-on取向和具有更优异的OFET器件的工作稳定性。该研究充分揭示了Q-D-A共轭聚合物中电子受体单元的作用,为开发具有高迁移率和工作稳定性的聚合物半导体提供理论基础和新思路,对加速聚合物半导体材料的发展有着重要意义。

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