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高分辨层数可控2DOSC阵列
材料人测试客服小陈     2021-11-05 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
光电材料 半导体
关键性能:
平均迁移率达到1.6 cm2 V-1 s-1
产品介绍:

天津大学李立强教授报道了一种制备高分辨层数可控2DOSC阵列的方法。该研究首先通过有机半导体晶体工程方法制备了大面积层数可控的2DOSCs;然后,通过聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板辅助的选择性接触蒸发印刷(SCEP)技术制备了高分辨层数可控的2DOSC阵列。研究表明,基于2DOSC阵列的OFETs具有优异的电学性能和均匀性。其中,基于2,6-bis(4-hexylphenyl)anthracene (C6-DPA) 2DOSC阵列的OFETs平均迁移率达到1.6 cm2 V-1 s-1,迁移率相对变化率仅为12.5%。这种策略可用于制备多种有机半导体二维晶体和图案阵列。这项工作对推动2DOSCs实现低成本和大面积光电应用具有指导和借鉴意义。相关成果以“Organic Semiconductor Crystal Engineering for High-Resolution Layer-Controlled 2D Crystal Arrays”为题发表在Advanced Materials。

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