据山东大学报道，晶体材料国家重点实验室夏盛清团队课题组设计提出了一种原位加料布里奇曼晶体生长方法，成功使用低成本石墨坩埚直接生长n-型Mg₃Bi_1.49Sb_0.5Te_0.01体块晶体，且晶体表面光滑，与坩埚不发生腐蚀和粘结。室温附近，单晶在[110]方向测试的迁移率为220 cm2V⁻¹s⁻¹，热电优值（ZT）接近0.8。通过控制结晶工艺，这种技术还可应用于多晶Mg3Bi2基热电材料的快速制备，获得大晶粒尺寸、高均一性、高机械强度的体块材料，可以直接应用于器件加工。单腿器件证实，当电流为0.6A时，可以实现了10.5K的大温差，优于目前室温附近的先进热电材料，展现出极高的应用价值。相关成果以“In-Situ Loading Bridgman Growth of Mg₃Bi_1.49Sb_0.5Te_0.01Bulk Crystals for Thermoelectric Applications”为题，在线发表在材料类权威期刊Advanced Electronic Materials。