南京大学聂越峰教授和吴迪教授，联合美国加州大学欧文分校潘晓晴教授（共同通讯作者）等人报告了在PbTiO3/SrTiO3中观察到两种类型（中心发散和中心收敛）的skyrmion状极性纳米域，可以通过施加外部电场相互转换。已经证明了基于这些拓扑纳米域的高密度电阻存储器，可以通过切换纳米域的类型来控制“开”和“关”状态。这种集成在硅上的极性纹理有几个独特的优点：（1）由于只有一层类skyrmion纳米域而不是多层相互作用，因此更容易通过外部电场切换每个单独的纳米域，从而实现有效的“写入”操作。此外，在没有多层纳米域之间的干扰的情况下，它可以通过PFM测量直接映射偏振模式，这实际上是一种非破坏性的“读取”操作；（2）由于它是对电阻状态的直接测量，因此这种“读取”操作可以比传统的铁电随机存取存储器快得多，传统的铁电随机存取存储器的读取过程具有破坏性，因此需要先读后写架构；（3）更重要的是，这种独特的结构可以集成在硅片上。在硅上集成高密度可切换类skyrmion极性纳米域可以实现在氧化物中使用拓扑极性结构的非易失性存储器应用。 相关研究成果以“High-density switchable skyrmion-like polar nanodomains integrated on silicon”为题发表在Nature上。