华中师范大学黄新堂教授和中国科学院上海硅酸盐研究所石云副研究员联合报道了低Ga含量Ce:GGAG晶体（Ga/Al比=2/3）的光浮区法生长和闪烁性能研究。与提拉法（Cz法）和微下拉法（m-PD法）等传统晶体生长技术相比，光浮区法(optical floating zone method，OFZ) 在晶体生长过程不需要坩埚，几乎不会在生长过程中引入杂质，可以生长熔点很高的晶体。生长速度与其他单晶生长方法相比较快，提高了生长晶体的效率且晶体生长质量较高，在新材料研发方面具有比较优势。在该工作中，研究者成功地生长了低Ga/Al比(= 2/3) (Ce,Gd)3Ga2Al3O12晶体并具有较高的闪烁光产额；同时，在衰减时间和快分量比优化方面取得显著的进步，富氧环境下生长的Ce:GGAG晶体表现出较快衰减时间和较高的快组分比(80 ns / 80%; 257 ns / 20%)，gamma射线(137Cs，662 keV)激发下的闪烁光产额可达38, 847pho/MeV@0.75ms。该工作揭示了光浮区法用于探索新型高性能闪烁晶体的可行性，为闪烁晶体的快速制备和组份性能筛选提供了新型高效的技术方案，相关研究内容发表在晶体类一区期刊Crystal growth & Design上。