结构优化是VASP计算中最常用的计算功能,用于寻找结构的稳定状态。结构优化完成后,可以进行进一步的计算,分析电子结构和材料的其他性质。
1. POSCAR
合理的初始结构可以用更短的时间找到最稳定的状态。
· 可以通过参考文献,调节模型的键角,键长和晶胞参数。
· 在The Material Project 网站(https://materialsproject.org/)上下载已经优化好的模型作为参考。
· 对于催化反应,化学反应多发生在催化剂的表面,对于较大体系,可以固定底层原子,可以在保证优化结果的准确性的同时减少计算时间。
2. INCAR
优化参数的设置是计算的灵魂,包括了对计算方法的选择和计算精度的把握, 很大程度上决定了计算的质量。
System = Cu-MOR
# (计算体系的名称,不影响计算)
ISTART = 0
# (结构优化一般为计算的第一步,没有波函数文件, ISTART=0)
ICHARG = 2
# (=1 表示从计算完成的CHGCAR中提取结果计算; ISTART=0时,一般设置为ICHARG=2)
ENCUT = 450
# (截断能需要进行测试,可以先设置为350或者400,进行测试,逐步提高截断能,盲目提高截断能,增加了计算成本,不一定会得到更准确的结果)
PREC = Medium
# (一般选择Medium或Accurate)
ISIF = 2
# (晶胞变化的情况,是否计算应力和晶胞自由度变化,分为0-6, 一般二维材料为2, 三维材料为3即可)
EDIFF = 1E-4
# (电子步收敛标准 一般为1E-4或1E-5)
ISPIN = 2
# (1:不打开自旋, 2;打开自旋)
NSW = 100
# (最大离子步, 初步优化可以设置50,进一步优化时,可以提高到100或200,不建议超过500)
IBRION = 2
# (离子更新的方法,推荐使用2,代表conjugate gradient algorithm方法,对难优化的体系也有不错的效果)
POTIM = 0.2
# (离子移动的步长,一般默认0.5,可以在进一步优化时调整到0.2)
EDIFFG = -0.03
# (离子步收敛标准,初步优化可以设置为0.05或0.03,进一步优化可以设置为0.01)
IVDW = 11
# (范德华力校正,一般选择11 (D3 for Grimme), 可以根据自己的体系进行测试)
GGA = RP
# (计算方法,根据体系和要求,可以依据文献选择)
3. KPOINTS
孤立体系,如分子,1*1*1即可
二维材料 n*n*1
三维材料 n*n*n
4. 提交并查看结果
· grep “free energy’ OUTCAR
要随时查看能量是否一直降低,如果出现波动要停止计算检查结构是否合理,或调整参数。
· vi OUTCAR
?FROCE
查看力是否达到收敛要求
如果跑完相应的离子步,没有达到收敛标准,但是能量一直下降,结构保持的很好,可以增加离子步数。如果结构形变很大,可能结构不合理,需要重新调整结构。
5.导出结构作图
计算完成可以将CONTCAR 导出,用VESTA 打开并作图,也可以在VESTA中保存成cif文件,在Material Studio 中进行修改或作图。
写在最后,参数的测试是结构优化中是很重要的。 一般选择gamma点作为KPOINTS, 设置粗糙的参数,NSW=50,进行初步优化,确认结构的合理性。进一步优化的时候可以提高ENCUT和KPOINTS, 例如将ENCUT由350提高到400, KPOINTS由gamma点提高到3*3*1。通过不断提高精度的方法进行测试,可以得到最优参数,以便在接下来的计算,尤其是计算一系列反应过程,用最短的时间得到最好的结果。
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