近日，香港大学Lain-Jong Li教授团队联合澳大利亚新南威尔士大学Sean Li教授团队探索可转移的超高κ单晶钙钛矿锶钛氧化物膜作为二维场效应晶体管的栅极电介质。所制造的钙钛矿膜表现出理想的亚一纳米级CET，具有低漏电流（在2.5兆伏/厘米时小于10^-2安培/平方厘米）。研究发现，锶钛氧化物电介质和二维半导体之间的范德华间隙减轻了由于使用超高κ电介质而导致的不利边缘诱导的势垒降低效应。由化学气相沉积和氧化锶钛电介质制成的可扩展二硫化钼薄膜的典型短沟道晶体管表现出陡峭的亚阈值摆幅低至每十倍频约 70 毫伏，开/关电流比高达107，符合最新的《国际设备和系统路线图》建议的低功耗规格。具体的成果以“High-κ perovskite membranes as insulators for two-dimensional transistors”为题发布在Nature。