随着5G技术的规模化应用与6G技术的加速研发，通信系统正朝着高频、高速、大容量、宽温域的方向快速演进。微波介电陶瓷作为基站天线、毫米波雷达、射频前端模块等核心器件的关键材料，其性能直接决定了通信系统的信号传输效率与运行稳定性。在高频通信场景下，低介电常数（low-k）的微波介电陶瓷能够有效降低信号传输过程中的介质损耗，保障高频信号的快速、低失真传输。而谐振频率温度系数（τf）作为另一核心指标，直接影响器件工作频率的温度稳定性。当前，多数微波介电陶瓷呈现负频率温度系数特性，在宽温工况下易出现频率漂移，严重影响通信精度。传统负温漂特性的低介电微波陶瓷需搭配高介电正温漂材料补偿，易导致器件介电常数攀升、信号延迟加剧。因此，研发兼具低介电常数与超大正频率温度系数的陶瓷材料，成为解决高频器件频率补偿问题的关键，也是该领域的研究难点与前沿方向。针对这一难题，电信学部电子科学与工程学院周迪教授团队聚焦AB2O4型陶瓷的晶体结构设计与性能调控，采用固相反应法结合精准烧结工艺，成功制备出具有“低介电常数-低损耗-极大正温度系数”的BaSc2O4微波介电陶瓷。材料性能的“反常”优势:低介电常数（εᵣ≈13）：减少5G/6G高频信号传输延迟，适配高速通信；超低损耗（tanδ≈1.46×10^-3）：低介电损耗保证信号传输的高保真度；超大正温漂（τf=+167 ppm/℃）：为负温漂器件提供高效补偿，且无需牺牲低介特性。该研究成果以《BaSc2O4：一种适用于5G/6G频率补偿的具有超大正频率温度系数的新型AB2O4型低介电常数微波介电陶瓷》（BaSc2O4: A Novel AB2O4-Type Low-k Microwave Dielectric Ceramic With Giant Positive τf for 5G/6G Frequency Compensation）为题，在国际知名学术期刊《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）在线发表，西安交通大学为该论文的第一通讯单位。