近日，美国普林斯顿大学Nicolas Regnault团队联合西班牙国际物理中心Maia G. Vergniory、麻省理工学院Benjamin J. Wieder等学者，在Science上报道了费米能和远离费米能处全能带中稳定和脆弱相拓扑结构的目录，将ICSD升级为可用的拓扑材料数据库。在化学计量材料ICSD的96,196可处理的条目中计算了所有能带的电子结构，拓扑类，对称性指标。根据常见的化学式、晶体结构和拓扑结构，将其归类为38,298种独特的材料。从而完成了已知非磁性材料的对称带拓扑结构，使得拓扑材料目录中可及的材料比之前多了一倍。通过高通亮计算，研究发现了一类新型拓扑材料的存在，即重复拓扑(RTopo)材料，在EF处具有能量隔离脆性带的强化拓扑半金属，在EF处及其下方具有稳定拓扑绝缘间隙；超拓扑(STopo)材料，其中的STopo材料核壳之上的每一个能量孤立的带集都是稳定的拓扑。研究结果将先前拓扑材料的几个实验研究重新背景化（DOI: 10.1038 /s41586-019-0954-4 ，DOI: 10.1038/s41586-022-04519-1）。研究发现，先前分别显示为激子绝缘体相和电荷密度波相的过渡金属硫族化合物SG 15 (C/2c) Ta2NiSe5和SG 12 (C2/m) Ta2NiSe7是正常状态下的三维拓扑绝缘子(TIs)。此外，研究还发现SG 166  TI菱面体铋和SG 16间接能隙TI Bi2Mg3 都是 RTopo和STopo材料。先前对Bi2Mg3的ARPES研究已经证实 EF以下存在“表面共振带”，在这项工作中，发现表面共振带实际上是RTopo Dirac-cone平面态。计算表明，在EF处，52.65%的材料是拓扑的，大概2/3能带中所有材料都表现出对称的稳定拓扑结构，令人震惊的是，87.99% 的材料至少含有一个稳定的或脆弱的(晶体)拓扑带。