清华大学南策文院士、朱静院士与林元华教授联合报告了报告了一种高熵稳定的Bi2Ti2O7基介电薄膜，在6.35 MV cm^-1的电场下，其能量密度高达182 J cm^-3，效率为78%。研究结果表明，调节原子构型熵会引入有利且稳定的微观结构特征，包括晶格扭曲的纳米晶粒和无序的类非晶相，从而提高击穿强度并降低极化切换滞后，从而协同促进储能表现。这种高熵方法有望广泛应用于高性能电介质的开发。研究成果以题为“High-entropy enhanced capacitive energy storage”发表在知名期刊Nature Materials上。本研究展示了一种调控熵策略来显著增强击穿电场并减少极化切换滞后。因此，在高熵稳定的Bi₂Ti₂O₇基薄膜中实现了182 J cm^-3的高能量密度和78%的效率。该工作为实现高性能介电电容器提供了一个广泛适用的范例，并且也适用于其他研究领域，如电热学，其中使用了高击穿场。此外，本研究中进行的微观测量突出了分析高熵在其他类似材料中的影响的可行途径。