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制备具有超低亚阈值摆幅并且实现饱和输出特性的垂直场效应晶体管
材料人测试客服小陈     2022-07-22 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
有机场效应晶体管
关键性能:
实现了73 mv/dec的亚阈值摆幅,接近室温下的理想值
产品介绍:

据福州大学官网报道, 近日,物理与信息工程学院郭太良团队陈惠鹏课题组的研究论文“基于碳化钛的低亚阈值摆幅垂直有机场效应光电晶体管”(MXene based Saturation Organic Vertical Photoelectric Transistors with Low Subthreshold Swing)在国际顶级期刊《自然-通讯》(Nature Communications)上在线发表。该工作系统地研究了垂直有机场效应晶体管中载流子的注入模型,采用超薄碳化钛作为源电极,制备了具有超低亚阈值摆幅并且实现饱和输出特性的垂直场效应晶体管。研究发现,超薄的多孔碳化钛薄膜同时具有单层石墨烯和多孔金属电极的肖特基势垒调制机制,进一步提升了器件的栅极调控能力,实现了73 mv/dec的亚阈值摆幅,接近室温下的理想值。同时,碳化钛的部分氧化形成的钝化层消除了源极和漏极之间的泄漏电流,解决了垂直场效应晶体管中常见的输出电流不饱和的问题。此外,该器件在无需额外功能层的情况下,可以实现宽光谱快速响应的光探测功能。该工作为高性能垂直场效应晶体管的研制提供了现实可行的方法,为突破摩尔定律的瓶颈提供了新的可能。

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