据北京大学官网报道，近日，北京大学张志勇课题组与中国科学院苏州纳米所赵建文课题组合作，利用碳纳米管开关比高、化学稳定性好、机械强度高、准一维结构等优势，利用丝网印刷结合掺杂技术在纸质基底上制备了碳纳米管薄膜晶体管。团队发展了两种重要的调节器件的技术，第一，通过在原始p型晶体管上印刷环氧胺层，将其转化成n型晶体管，第二，通过调节碳纳米管薄膜的打印次数，有效控制晶体管的阈值和跨导。基于以上技术基础，首次在纸基衬底上构建了增强型碳纳米管CMOS晶体管，并基于此制备了多种印刷电路。所构建的纸基CMOS反相器能够实现0.2 V超低工作电压，0.0124 pW/μm的超低功耗和2 Mrad的抗辐照能力，这些性能展示了纸基碳纳米管集成电路在环境友好型电子学与抗辐照电子学等领域的应用前景。相关成果以题为“Ultralow-power and radiation-tolerant complementary metal-oxide-semiconductor electronics utilizing enhancement-mode carbon nanotube transistors on paper substrates”）的论文，于8月27日在线发表于Adv.Mater.2022, 2204066。