上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系陈长鑫研究组在窄的边缘光滑的石墨烯纳米带（GNR）的制备及其高性能晶体管应用研究方面取得了重要进展。上海交通大学陈长鑫教授研究组与斯坦福大学戴宏杰教授、美国SLAC国家加速器实验室Wendy L. Mao教授研究组合作发展了一种通过高压和热处理将碳纳米管（CNT）压扁的方法以制备宽度低于10 nm的有着原子级光滑闭合边缘的半导体性GNR。这种方法能够制得亚5纳米宽度的很窄的GNR，最小的纳米带宽度可低至1.4 nm。通过这种方法，样品中54%的单壁和双壁可被转变为边缘闭合的纳米带。纳米带的形成是通过高压处理和热处理共同作用实现的，处理后CNT在径向发生重要变形，从而形成闭合边缘的GNR。利用压扁状态下处于高应变的CNT边缘的碳原子的反应活性比平的CNT中心更高，研究人员还使用硝酸作为氧化剂对高压下被压扁的CNT进行选择性的边缘蚀刻，进而制得边缘打开的GNR。研究人员使用宽度为2.8 nm的石墨烯纳米带制作了场效应晶体管，器件的开关电流比可高于104、场效应迁移率和开态电导率分别达到2443 cm² V^-1 s^-1和7.42 mS。制得的纳米带的带隙被估计为0.49 e）。结果显示了这种GNR在逻辑电路中具有良好的应用前景。研究成果以“Sub-10-nm graphene nanoribbons with atomically smooth edges from squashed carbon nanotubes）”为题在Nature Electronics期刊上发表