上海交通大学陈长鑫教授研究组与斯坦福大学戴宏杰教授、美国SLAC国家加速器实验室Wendy L. Mao教授研究组等合作发展了一种通过联合高压和热处理将碳纳米管（CNT）压扁的方法以制备具有原子级光滑闭合边缘的亚10纳米宽的半导体性GNR。这种全新的方法可以制备窄至1.4 nm的纳米带，并且可使样品中多至54%的单壁和双壁CNT被转变为GNR。研究人员还使用硝酸作为氧化剂选择性蚀刻被压扁的CNT的边缘，制备了边缘打开的GNR。使用2.8 nm宽的边缘闭合GNR制作的场效应晶体管（FET）的开/关电流比高于10⁴，GNR的带隙被估计为494 meV。器件的场效应迁移率可达2443 cm² V^-1 s^-1，开态沟道电导率为7.42 mS。在本工作中，研究人员提供了一种高产率制备具有光滑边缘、大带隙和高迁移率的窄且长的GNR的方法，也提供了控制其边缘类型的方法，为探索GNR的基本特性及其在电子和光电子领域的实际应用打下了基础。这种制备方法也有望被拓广应用于其它富勒烯材料和纳米管状材料上。相关研究结果以“Sub-10-nm graphene nanoribbons with atomically smooth edges from squashed carbon nanotubes”为题被发表在Nature Electronics期刊上。