在神经形态硬件中，基于异构设备的外围电路和记忆通常在物理上是分离的。因此，探索这些组件的同质器件是改进模块集成和电阻匹配的关键。为此，华中科技大学光电信息学院叶镭及中国科学院上海技术物理研究所胡伟达课题组受二维材料上铁电近邻效应的启发，提出了一种二硒化钨-铌酸锂级联结构作为基本器件，用作非线性晶体管，协助设计用于模拟信号处理的运算放大器。该器件还可用作非易失性存储单元，实现存储器操作功能。在这种同构架构的基础上，该研究还探索了用于二进制分类的 ASP-MO 集成系统和用于神经形态硬件潜在用途的三元内容可寻址存储器的设计。相关研究成果以“2D materials–based homogeneous transistor-memory architecture for neuromorphic hardware”为题发表在Science上。