传统的p-n结光-电转换的理论肖克利-奎瑟极限可能会通过非中心对称材料特有的体光伏效应所克服。利用应变梯度工程，柔印光伏效应，即应变梯度诱导的体光伏效应，可在中心对称半导体中被活化，大大拓展了未来传感和能源应用的材料选择。为此，美国伦斯勒理工学院Jian Shi 和Jiang Jie采用应变梯度工程的方法在实验上展现了一个典型二维材料——二硫化钼的柔印光伏效应，该方法基于二硫化钼和二氧化钒组成的混合系统的结构不均匀性和相变。实验得到的二硫化钼的体光伏系数比大多数非中心对称材料高几个数量级。本研究揭示了低维材料中柔印光伏效应和应变梯度之间的基本关系，这可能会激发对应变梯度工程材料中新的光电现象的探索。相关研究成果以“Flexo-photovoltaic effect in MoS₂”为题发表在Nature Nanotechnology上。