半导体p-n结具有独特的整流特性，是众多电子元器件的基本构成单元。然而，经典的结结构限制了器件的潜在功能。为此，中国科学技术大学龙世兵教授、孙海定研究员团队报道了一种在电解质环境中基于垂直排列的p-AlGaN/n-GaNp-n异质结纳米线的光检测电化学电池。用铂纳米颗粒修饰纳米线后，器件单元表现出光响应，其中光电流极性根据光的波长而反转。特别是，用两个不同波长(254nm和365nm)的光的照射器件，引发了在纳米线/电解质界面不同的氧化还原反应，导致光电流的极性反转。在零偏压条件下，该器件254nm处的响应率高达−175mAW⁻¹，365nm处的响应率为31mAW⁻¹。相关研究成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题发表在Nature Electronics上。