首页 鸿研 需求 视频 产品 专栏 招聘 活动 社区 APP下载 登录/注册
原子级电子断层成像
JuF     2021-10-22 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
异质结界面结构-性能关系
关键性能:
建立了局部微观结构与物理特性的关系
产品介绍:

三维(三维)局域原子结构和异质结构界面上的晶体缺陷控制着它们的电子、磁性、光学、催化和拓扑量子性质,但迄今为止还没有任何直接的实验结论。美国加州大学洛杉矶分校Jianwei Miao、加州大学洛欧文分校Xiaoqing Pan和哈佛大学Prineha Narang联合提出使用原子级电子断层成像技术在皮米精度范围内确定MoS2-WSe2异质结界面上的三维局部原子位置,并将三维原子缺陷与外延界面上的局域振动特性联系起来。我们观察了点缺陷、键失真和原子尺度的波纹,并测量了异质界面上的全三维应变张量。通过使用实验三维原子坐标作为第一性原理计算的直接输入,我们揭示了定域在界面上的新声子模,并被空间分辨电子能量损失能谱证实。本研究有望在单原子水平上构建各类异质结构界面的结构-性质关系方面铺平道路。相关研究成果以“Capturing 3D atomic defects and phonon localization at the 2D heterostructure interface”为题发表在Science Advances上。


产品附件:
产品来源:
评分:暂无评分

暂无评论
JuF发布的产品
方法 相关的产品