南开大学电子信息与光学工程学院张毅教授与陕西师范大学刘生忠教授、河北大学余威教授等通力合作，在前驱膜上通过ALD引入一层Al₂O₃超薄层，成功控制了Ag在高温退火过程中的分布行为，其表面接触电位差由未掺杂Ag的-230 mV增大为+111 mV，而且，从吸收层表面到内部，吸收层的价带顶位置从费米能级下方的0.63 eV逐渐降低到0.12 eV，证明当Ag在吸收层表面富集，薄膜表面不仅电势发生了极性反转，而且从能带角度也证实了导电类型的反转。本次取得的重要进展，使得这种器件结构不仅表现出了出色的载流子输运特性，而且通过增加耗尽区宽度增强了载流子分离，从而大大改善了器件的性能，最高转换效率从8.9%提升到了12.55%。同时，他们通过导纳光谱和时间分辨荧光光谱、荧光光谱以及变温IV的测试等深入研究了p型材料表面出现n型反型后材料光学与电学等性质的变化。相关结果以“N-type Surface Design for p-type CZTSSe Thin Film to Attain High Efficiency”为题发表在Advanced Materials上。