在像素化薄膜的制造过程中，聚合物半导体的溶液可加工性成为一个不利因素，因为底层很容易受到后续溶剂暴露。一个与代工厂厂兼容的制版工艺必须满足以下要求:高通量和高分辨率制版能力、广泛的通用性、环境加工性、对环境无害的溶剂和最小的器件性能退化。然而，已知的方法只能满足这些需求中的很少一部分。日本东京大学Takao Someya联合美国西北大学Tobin J. Marks、Antonio Facchetti等人演示了一种简单的光刻方法，用于已知p型和n型半导体聚合物的相容高分辨率图案。该过程涉及将垂直相分离的半导体聚合物和紫外线光固化添加剂交联，并在环境温和溶剂中仅通过三步就能实现分辨率高达0.5 μm的环境可加工光图案。这些有图案的半导体薄膜可以集成到具有优良传输特性、低关流、高热稳定性(高达175°C)和化学稳定性(在氯仿中浸泡24h)的薄膜晶体管中。此外，这些有图案的有机结构还可以集成在1.5 μm厚的聚苯乙烯基片上，以产生高度柔性(半径1mm)和机械坚固(5000次弯曲周期)的薄膜晶体管。相关研究以“Foundry-compatible high-resolution patterning of vertically phase-separated semiconducting films for ultraflexible organic electronics”为题目，发表在Nature Communications上。