在电子学器件应用中，COFs材料是以薄膜形式存在的。由于COFs材料溶解性与成膜性能差，使得基于COFs材料的电学器件性能较低。为解决这一难题，中科院化学研究所有机固体实验室研究员于贵课题组原位生长了高质量的COFs薄膜并构筑了高性能忆阻器。他们利用胺醛缩合反应，合成了具有给体-受体（D-A）结构的2个结晶性良好的COFs材料，2个COFs材料分别含有不同的给体连二噻吩和二噻吩乙烯，给体不同可导致不同的带隙、孔大小、分子内和分子间相互作用，均具有良好的热稳定性。在此基础上，他们制备了高质量的COFs薄膜，通过把ITO衬底放在反应溶液中，改变前驱体的浓度来调控薄膜的厚度、表面粗糙度和薄膜的质量，获得了具有良好结晶性、分子平行衬底堆积的COFs薄膜，并通过热蒸镀Ag电极，制备了忆阻器。该器件具有可擦写的开关功能，表现出优秀的忆阻性能，驱动电压为1.30 V，开关比为10⁵，保留时间为3.3×10⁴ 秒。研究成果以Towards High-Performance Resistive Switching Behavior through Embedding a D-A System into 2D Imine-Linked Covalent Organic Frameworks为题发表于Angewandte Chemie International Edition。