2022年8月20日下午,材料人举办半导体材料及其器件研讨会。
研讨日程
1. 14:00-14:40 李黄龙:碲(Te)半导体在“神经形态计算” 中的“杀手级”应用探索
2. 14:40-15:20 刘碧录:二维半导体材料的可控制备及器件应用
3. 15:20-16:00 张召富:宽禁带半导体界面工程及其电子器件应用
4. 16:00-16:40 张燮:What enables the superior optoelectronic performance of halide perovskites?
5. 16:40- 17:20 化梦媛:常关型GaN功率器件栅极关键问题研究
6. 17:20- 18:00 张洪良:宽禁带氧化镓半导体电子结构研究
嘉宾介绍
李黄龙:清华大学精密仪器系副教授。
刘碧录:国家杰青、清华大学长聘副教授,材料研究院副院长、深圳盖姆石墨烯中心副主任。2006年本科毕业于中国科技大学,2012年博士毕业于中科院金属所,2012至2016年在美国南加州大学先后担任博士后和研究助理教授,2016年6月回国工作。研究方向是石墨烯等二维材料的制备及其电子、光电、催化应用。在Nature Nanotechnology, Nature Materials, Nature Communications, National Science Review, Materials Today, Advanced Materials等期刊发表高质量论文150篇,获授权发明专利18项。
张召富:香港科技大学博士,剑桥大学博士后,2022年起任武汉大学研究员。已发表SCI论文100余篇;谷歌学术h-index为24,引用2000余次。担任多个期刊青年编委和审稿人。主要研究方向宽禁带半导体材料与器件。
张燮:北京计算科学研究中心特聘研究员,入选2019年国家海外高层次青年人才计划。2015年获得德国马普钢铁研究所和鲁尔波鸿大学博士学位。2015-2020年曾先后在德国马普钢铁研究所和美国加州大学圣芭芭拉分校材料系从事博士后研究。专注于先进结构与能源材料中缺陷与相变的第一性原理研究。近年来在Nat. Mater., Nat. Commun., Sci. Adv., Phys. Rev. Lett., Adv. Energy Mater.等期刊发表研究论文数十篇。2018年获得加州大学圣芭芭拉分校固态发光与能源电子中心杰出研究成就奖。2019年获美国能源部国家能源研究科学计算中心所颁发的高影响力科学计算青年成就奖。
化梦媛:2013年本科毕业于清华大学,2017年博士毕业于香港科技大学,2018年加入南方科技大学,现任助理教授。致力于宽禁带半导体器件与IC研究,在高端制造工艺、测试表征技术、器件结构设计、可靠性等方面做出一系列原创性和系统性的工作。共发表国际高水平期刊与会议论文90余篇,引用超1900次,h因子22。成果包括国际电子器件领域的顶级峰会IEEE IEDM论文7篇,电力电子领域旗舰会议IEEE ISPSD论文11篇,为国际会议做邀请报告10余次;发表器件领域顶级期刊IEEE Electron Device Lett. 15篇,IEEE Trans. Electron Devices 8篇,多次选入热点论文,被产业界权威杂志专题报道。获2020年IEEE ICSICT杰出青年科技论文奖;获2017年IEEE ISPSD最佳青年学者奖;现任国际高水平期刊IEEE Trans. Electron Devices编辑。
张洪良:厦门大学闽江特聘教授。英国牛津大学无机化学博士(2012),新加坡国立大学凝聚态物理硕士(2008), 山东大学本科(2003)。研究领域为宽禁带氧化物半导体及光电器件,致力于氧化物半导体薄膜表界面电子结构、能带调控及光电器件。迄今已在Nature Electronics、Phys. Rev. Lett.、Nat. Commun.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Mater.等期刊发表论文140余篇,出版著作(专译著)1部。主持国家自然科学基金委面上项目2项,国家自然科学基金委中德合作交流项目1项。曾获国家高层次人才“青年项目”、剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship,台湾积体电路制造公司(TMSC)最佳国际研究生科研奖。
合作联系
微信号:cailiaoren005
|
超级小柴胡 (2022-08-21) |
回复TA |
哪里有回放啊
|
墨 (2022-08-20) |
回复TA |
请问在哪里可以看回放
|
新手 (2022-08-20) |
回复TA |
可以看回放吗
|
zzhang (2022-08-20) |
回复TA |
请问张老师,PLD MBE生长的Ga2O3薄膜的单晶性能如何?是有多晶、非晶的成分么? 另外如果用Ga2O3做光电探测,是用那种更好?单晶、多晶、非晶?感谢您
|
(2022-08-20) |
回复TA |
有些没听懂,还错过了一些,万分希望会有视频回放!谢谢了!
|
six (2022-08-20) |
回复TA |
请问半导体材料载流子寿命与对应器件性能是否有之间联系?
|
zzzzzhao (2022-08-20) |
回复TA |
化老师,MIS-gate结构的虚栅效应是不是会比p-gan更小?(由于电子从栅极跃迁到界面态的势垒更高)
|
赢己 (2022-08-20) |
回复TA |
张老师,请问可以去你那里做高级访问吗?
|
SHSF (2022-08-20) |
回复TA |
张老师,请问材料背景的学生如何入门计算研究,并将计算与实验结合?
|
夏至小生 (2022-08-20) |
回复TA |
张老师,在异质结的界面处,也可能存在悬挂键,也会有界面态,是吗?
zzhang回复:
在异质结的界面处,也可能存在悬挂键,也会有界面态.是的。 除了悬挂镜,也可能有其他缺陷造成缺陷态。 (2022-08-20)
|
王凯涛 (2022-08-20) |
回复TA |
4H-SiC表面钝化形成二氧化硅的方法哪种效果较好
zzhang回复:
只是,与Si的完美界面不同的是,SiC界面有大量缺陷,过去30年有大量界面态、界面钝化相关的研究,包括用N(N2,NH3,NO等)P(POCl3)等元素进行钝化。 (2022-08-20)
zzhang回复:
王同学好,我在这里回答下:并不是“SiC表面钝化形成二氧化硅”。SiC是通过高温热氧化工艺,生成的SiO2氧化层,或者说生成的SiC/SiO2界面,这个过程非常类似于Si通过热氧化形成Si/SiO2。 (2022-08-20)
|
铭杰 (2022-08-20) |
回复TA |
HEMT和thin film transistor结构上很像。它们有什么区别?
|
夏至小生 (2022-08-20) |
回复TA |
张老师,你好,想问一下,表面态是表面处的原子的PDOS吗?
|
夏至小生 (2022-08-20) |
回复TA |
如何悬空转移这些二维材料?
|
一天不学我就浑身难受 (2022-08-20) |
回复TA |
老师您好,二维材料层堆叠形成的异质结有什么优势吗
|
章 (2022-08-20) |
回复TA |
您预估CVD生长TMDC实现晶圆级别生长还需要多久
|
一天不学我就浑身难受 (2022-08-20) |
回复TA |
老师您好,想请问下两种二维材料层间堆叠形成的异质结与非层间接触形成的异质结相比,有什么优势吗?
|
陈鹏飞 (2022-08-20) |
回复TA |
老师,您好,如果要做掺杂,对掺杂源有什么要求吗?
|
赵天歌 (2022-08-20) |
回复TA |
请问刘老师,TRT转移的效果如何,比湿法转移的效率更高吗?
|
赵天歌 (2022-08-20) |
回复TA |
请问刘老师,在水平管式炉中把衬底垂直放置,会有垂直CVD一样的效果吗?