香港理工大学应用物理系的赵炯教授、杨明教授团队与香港城市大学李淑惠教授团队报道了二维In2Se3薄膜多种相的大面积、可控生长。作者首先利用垂直CVD生长方法实现了二维β相In2Se3的大面积生长，然后在CVD生长过程中，在前驱体中加入InSe获得了大面积的β′-In2Se3薄膜。最后，将大面积的β′-In2Se3薄膜转移到柔性基底上，成功实现了大面积的α-In2Se3薄膜。作者通过实验和理论机理研究证实了InSe晶体的种子效应，它引发了In2Se3从β相到β′相的转变；而机械应变负责β′到α相的转变。最后，作者成功地制备了β′-α异相结，其显示出更宽的门控滞后窗口，并大大改善了非易失性存储器（NVM）特性。该研究成果以题为“Phase-controllable large-area two-dimensional In2Se and ferroelectric heterophase junction”发表在国际期刊Nature Nanotechnology上。