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多层膜全反铁磁隧道结器件
材料人客服小谭     2023-01-26 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
随机存取存储器
关键性能:
实现了反铁磁隧道结垂直电子输运,室温电信号输出提升了近3个数量级,从而使超快速响应超高密度反铁磁随机存取存储器的研制成为可能
产品介绍:

已有反铁磁存储器件的电信号输出,主要依赖面内电子输运的各向异性磁电阻效应,室温下一般仅能达到~0.1%,难以满足商业化磁存储器件应用需求。针对这一关键难题,北京航空航天大学材料科学与工程学院磁性功能材料研究团队刘知琪教授、蒋成保教授等突破了原子级平整反铁磁金属单晶薄膜的关键制备技术,通过界面应力诱导非共线反铁磁单晶薄膜的晶格四方度变化,产生了单轴磁各向异性,以及显著的反常霍尔效应。基于该反常霍尔效应,实验发现了全反铁磁异质界面(共线反铁磁/非共线反铁磁)的交换偏置效应,从而设计制备出多层膜全反铁磁隧道结(all-antiferromagnetic tunnel junction - AATJ)新器件,在国际上首次实现了全反铁磁隧穿磁电阻效应,室温磁电阻最高可达100%。相比原有面内电子输运的反铁磁存储器件,这项研究实现了反铁磁隧道结垂直电子输运,室温电信号输出提升了近3个数量级,从而使超快速响应超高密度反铁磁随机存取存储器(antiferromagnetic RAM – ARAM)的研制成为可能。相关成果于1月19日以全文Article的形式在《Nature》杂志上发表,论文题目为:“Room-temperature magnetoresistance in an all-antiferromagnetic tunnel junction”。

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