二维材料为发展在原子级厚度上的半导体应用提供了机遇，以打破硅技术的限制。黑磷(BP)是一种具有可控带隙和高载流子迁移率的层状半导体，是原子级厚度晶体管器件最有前途的候选材料之一。然而，二维黑磷缺乏大面积的生长技术，这极大地阻碍了其在器件方面的发展。为此，香港理工大学的郝建华教授以及中科大合肥微尺度国家实验室的陈仙辉教授联合报道了一种通过脉冲激光沉积的方法，实现了厘米级超薄黑磷的生长。激光烧蚀诱导的独特的等离子体激活区域为黑磷团簇的形成和运输提供了非常理想的条件，促进了材料的生长。该黑磷薄膜制备的大规模场效应晶体管阵列在295和250 K下分别获得了高达213和617 cm²V^-1s^-1的空穴迁移率。该研究结果为进一步开发基于黑磷的晶圆级器件铺平了道路，这些器件在信息工业中具有潜在应用价值。相关研究成果以“Large-scale growth of few-layer two-dimensional black phosphorus”为题发表在Nature Materials上。