闪存已成为一种普遍存在的固态存储器设备，广泛应用于便携式数字设备、计算机和企业应用程序。信息时代的发展要求提高内存速度和保留性能。为此，复旦大学微电子学院周鹏教授和陈时友教授团队展示了一种基于MoS₂/hBN/多层石墨烯范德瓦尔斯异质结构的超快非易失性闪存，该器件通过双三角形势垒改进的福勒-诺德海姆隧道实现了20ns的超快写入/擦除速度。通过详细的理论分析和实验验证，推测合适的势垒高度、栅极耦合比和清洁界面是我们闪存设备突破性写入/擦除速度的主要原因。由于其非非易失性，这种超快闪存可以为下一代高速非易失性存储器提供基础。相关研究成果以“Ultrafast non-volatile flash memory based on van der Waals heterostructures”为题发表在Nature Nanotechnology上。