电阻开关交叉点阵列作为下一代高密度存储、存储器计算和神经形态计算的平台的发展，很大程度上依赖于易失性选择器和非易失性存储器两个组件器件的改进，这两种器件有不同的操作电流要求。在各种器件实现中广泛面临的长期存在的电流波动性困境仍然是一个主要的瓶颈。为此，清华大学精密仪器系李黄龙副教授、裴京副研究员，机械工程系刘大猛副教授和北京信息科技大学段文睿讲师联合提出基于电化学活性、低热导率和低熔融温度的半导体碲导电细丝的器件可以解决这一困境，能够在各自期望的电流范围内作为选择器或存储器。此外，还展示了两个相同的基于碲的器件串联的单选择器-单电阻行为，表明了基于碲的器件作为通用阵列构建块的潜力。这些非常规现象可以从碲中独特的电热特性的结合来理解。初步的器件优化工作也表明了碲基电阻开关器件的大而独特的设计空间。相关研究成果以“A new opportunity for the emerging tellurium semiconductor: making resistive switching devices”为题发表在Nature Communications上。