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P掺杂MoS2/g-C3N4光催化杀菌材料
材料人客服小谭     2021-11-27 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
光催化杀菌
关键性能:
对大肠杆菌表现出较高的光催化杀菌效率(99.99%),比P掺杂g-C3N4 (44.73%)和P掺杂MoS2 (61.69%)的杀菌率显著提高
产品介绍:

据中科院官网报道,中国科学院海洋研究所段继周课题组研究员张杰与哈尔滨工业大学联合构建出一种新颖的P掺杂MoS2/g-C3N4层状结构复合材料的方法,显著提高了杀菌率。内电场的形成在促进光生载流子分离中具有重要作用,通常被认为是提高光催化效率的有效方法。科研人员合成了新颖的P掺杂MoS2/g-C3N4层状结构复合材料,可以暴露更多活性位点,并通过形成Mo-N键产生强相互作用用于光催化杀菌。通过实验和理论证实,P掺杂的MoS2/g-C3N4异质结构不仅产生双层内建电场来驱动电荷的转移,还有利于分离氧化还原位点进一步促进光生载流子的分离。优化后的光催化材料在可见光照射下对大肠杆菌表现出较高的光催化杀菌效率(99.99%),比P掺杂g-C3N4 (44.73%)和P掺杂MoS2 (61.69%)的杀菌率显著提高。该研究为设计和合成具有双层内建电场效应的层状复合光催化杀菌材料提供了新方法。研究成果以“Building P-doped MoS2/g-C3N4 layered heterojunction with a dual-internal electric field for efficient photocatalytic sterilization”为题发表于Chemical Engineering Journal。


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