MOF是信息存储、可穿戴电子、光电器件等领域新兴的一类重要功能材料。电子或空穴的相互作用对于MOF的系统研究和相关结构-性能相关性的研究具有重要意义。西北工业大学黄维院士等人采用亚10 nm厚度的四(4-羧基苯基)卟啉铜的MOF纳米片作为电荷捕获层，应用于气液界面组装及后续冲压工艺制备的有机电场效应浮栅晶体管存储器件中。作为电荷俘获点，与使用其对应配体四(4-羧基苯基)卟啉作为捕获元素的存储器件相比，具有超薄纳米孔阵列的MOF纳米片显著改善。与报道中广泛应用的金纳米颗粒、石墨烯、大分子纳米材料等纳米浮栅材料相比，在-80 V的编程电压下，短脉冲(≈20 ms)在器件上得到≈37.5 V的可观的记忆窗，保持时间超过10⁴ s，良好的开关比>10³。此外，由金属和有机组分组成的杂化结构使其具有电子和空穴捕获能力。这一研究成果对未来微电子研究中有机-无机混合电子的基础研究有一定的推动作用。相关研究以“Ultrathin Metal–Organic Framework Nanosheets as Nano-Floating-Gate for High Performance Transistor Memory Device”为题目，发表在AFM上。