据西安交通大学官网报道，金属材料强度国家重点实验室马春蕊副教授与微电子学院刘明教授合作，通过选取17 mol% HfO₂掺杂BaTiO₃、1 mol% SiO₂掺杂BaZr_0.35Ti_0.65O₃和0.85BaTiO₃-0.15Bi(Mg_0.5Zr_0.5)O₃三种无铅钛酸钡基材料构建了一种应变和介电常数双梯度的储能薄膜电容器。以介电常数梯度来平衡薄膜中电场的分布，减缓电子在薄膜中的传输，提高击穿强度。以应变梯度来提升高温区的介电常数，实现介电常数宽温区内的稳定性。在应变和介电常数双梯度的协同作用下，使得无铅钛酸钡基薄膜电容器的工作温区提升至350℃，明显高于现有商业X8R, X9R电容器的工作温度。这一设计具有很强的普适性，为进一步提高介电电容器的高温储能特性开辟了新的途径。上述研究成果以《应变和介电常数双梯度提高无铅钛酸钡基薄膜高温储能特性》(Ultrahigh Temperature Lead-Free Film Capacitors via Strain and Dielectric Constant Double Gradient Design)为题发表在Small上。