麻省理工学院Pablo Jarillo-Herrero教授课题组报道了一类新的纳米厚度的二维铁电半导体，其中单个组分分别为非铁电单层过渡金属二硫化物(TMDs)，即WSe₂，MoSe₂，WS₂和MoS₂。通过将两个相同的单层TMD平行叠加，得到了具备电学反转特性的菱面体堆叠构型，其面外极化被面内滑动翻转。用压电力显微镜观察到了莫尔(moiré )铁电畴和电场诱导的畴壁运动，可以制备近似平行堆积的双层膜。此外，通过在铁电场晶体管的几何结构中使用近邻的石墨烯电子传感器，这项研究量化了铁电体内置的层间电势，与第一性原理计算很好地吻合。这四种新型TMD的半导体铁电性为研究铁电性与其丰富的电学和光学性质之间的相互作用开辟了可能。相关论文以题为“Interfacial ferroelectricity in rhombohedral-stacked bilayer transition metal dichalcogenides”发表在Nature Nanotechnology上。