南京大学余林蔚、徐骏教授团队探索将高品质的一维硅纳米线（SiNWs）阵列可靠转移集成到弹性衬底PDMS之上，实现了超可拉伸的高性能场效应晶体管（FET）器件应用。基于课题组自组创新的（In-plane solid-liquid-solid, IPSLS）生长模式，首先制备了规则有序的超细晶硅纳米线（直径<80 nm）沟道，再将其可靠批量转移到柔性PDMS衬底上。在优化设计的离散硬岛结构保护下，晶硅纳米线FET器件可以承受高达50 %的拉伸应变和超过1000个循环的重复拉伸测试(20 %应变下)，其空穴载流子迁移率、电流开关比I_on/I_off和亚阈值摆幅（SS）分别为~70 cm² V⁻¹ s⁻¹，>105和134-277 mV/dec。这为探索和实现更先进的可拉伸电子皮肤、超柔性和非平面显示驱动（TFT）逻辑和生物传感/激励应用提供了理想可靠的高性能驱动逻辑器件基础！研究成果以Highly stretchable high-performance silicon nanowire field effect transistors integrated on elastomer substrates为题发表于Advanced Science。