开发了一种“循环电化学抛光结合高温退火”的方法，成功制备了大尺寸（4×32 cm²）单晶Cu(111) 基底（图1），并对过程中晶粒长大与晶界演变相关机制进行了研究。Cu(111)晶面与石墨烯具有极低的晶格失配率，是石墨烯定向生长、无缝拼接成高质量薄膜的理想衬底之一。在此基础上，采用两步碳源浓度供给的“自下而上选择性刻蚀”策略成功制备了大面积单层单晶石墨烯（17 cm²），所得实验结果与密度泛函理论（DFT）计算和相场模型模拟的选择性刻蚀过程吻合较好。此外，团队与丹麦科学技术大学研究人员合作，采用太赫兹时域光谱（THz-TDS）技术对石墨烯的电学性质及其均匀性进行表征，结果表明所得样品载流子迁移率较高且电学均匀性好，薄膜平均面电导率为2.8 mS，大面积平均载流子迁移率为6903 cm²V^–1s^–1。相关研究成果于近期发表在Advanced Materials上