延世大学的学者提出了一种新型的过渡金属二硫族化合物半导体制造方法，该方法与批量微加工工艺兼容。本文展示了如何在氮化镓基外延晶片上直接合成二硫化钼（MoS₂）薄膜以形成薄膜晶体管阵列。随后，MoS₂薄膜晶体管与微型二极管（micro-LED）器件进行单片集成，以生产有源矩阵微LED显示屏。此外，本文还展示了一种通过在蓝色微型LED上打印量子点来获得红色和绿色的简单方法，利用这项技术可制造全彩色微型LED显示器。该方案代表了实现异构集成的有希望的途径，这对于能够结合已建立的半导体技术和新兴二维材料的高性能光电子系统至关重要。相关工作以题为“Wafer-scale monolithic integration of full-colour micro-LED display using MoS₂ transistor”的研究性文章在“Nature Nanotechnology”上发表。