德国马普所Hagen Klauk（通讯作者），在Science Advances上发表文章，题为“Nanoscale flexible organic thin-film transistors”。作者采用直写电子束光刻技术在玻璃和柔性衬底上制备沟道长度小至200 nm，栅极到触点重叠小至100 nm的低电压p沟道和n沟道有机薄膜晶体管。p沟道晶体管的on/off比可以达到4×109，亚阈值波动可达70 mV/devade，n沟道晶体管的on/off比可以达到108，亚阈值波动可达80 mV/decade。这是迄今为止报道的纳米级有机晶体管最大的on/off电流比。基于两个沟道长度为200 nm，栅极到触点间距为100 nm的p沟道晶体管逆变器展示了在电源电压为1~2 V时，开关-延迟时间常数在40~80 ns之间，对应的电源电压归一化频率约为6 MHz/V。这是迄今为止报道的用无掩模光刻法制作的有机晶体管的最高电压归一化动态性能。