据中科院官网报导，近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所计算物理与量子材料研究部王贤龙课题组在稳定高压合成金刚石烯研究中取得新进展。研究表明，B和N掺杂可调控其电子结构性质（半导体、金属、超导），可降低形成能，增强金刚石烯在常温常压下的稳定性。相关研究成果发表在Physical Review B上。科研人员基于第一性原理方法探究了立方和六方金刚石烯不同掺杂形式的结构和性质。结果发现，掺杂能够降低金刚石烯的形成能，促进金刚石烯的合成并提升其在常温常压环境下的稳定性。基于此，研究人员提出通过压缩一层掺杂B原子另一层掺杂N原子的双层石墨烯获得的金刚石烯最稳定。通过压缩N掺杂双层石墨烯来合成金刚石烯在实验上最易实现，这是由于此时的形成能不依赖掺杂原子的分布形式。此外，掺杂原子在不同的替代位会呈现出不同的电子结构（半导体、金属、超导～4 K），可应用于二维电子器件领域。该工作为合成更稳定、功能更强的金刚石烯提供了新途径。