最近，来自上海交通大学的刘攀特别研究员、佐治亚理工学院朱廷教授和约翰斯-霍普金斯大学陈明伟教授相互合作，报告了室温原位应变过程中纳米金晶界(GB)位错攀移的原子尺度观察结果。研究表明：位错攀移由外加弯曲应力诱导重建位错中心额外半原子面边缘的两个相邻原子柱驱动。这与传统认为的位错攀移是通过在位错核心处破坏或构建单个原子柱的观点不同。蒙特卡洛模拟证明了位错攀登的原子路径在能量上是有利的，且适用于一般对称晶界。本文的原位观察还揭示了室温下位错攀移的晶界演化过程，这为控制纳米结构金属的微观结构和性能提供了一种手段。相关成果以“In situ atomic-scale observation of dislocation climb and grain boundary evolution in nanostructured metal”为题发表在国际顶级期刊Nature Communications上。