据北京大学官网报道，近日，北京大学张艳锋教授课题组与合作者提出了一种有效的基于化学势调制的、超高真空分子束外延制备策略，通过调控预沉积Ni金属的完全（或部分）碲化过程，提供富Te(或富Ni)的化学势环境，在Graphene/SiC(0001)基底上实现了从超薄1T-NiTe₂到化学计量比可调的自插层Ni_xTe_y（例如Ni₃Te₄, Ni₅Te₆）的调控制备。利用扫描隧道显微镜/隧道谱(STM/STS)，在原子尺度下对Ni_xTe_y进行原位原子/电子结构表征及生长过程的研究发现：在富Ni条件下，过量的Ni原子可以嵌入到单层NiTe₂和Graphene基底之间的界面，以及NiTe₂层间的范德华间隙中，占据八面体位点，获得不同插层量如~66.7% (2/3层) Ni₅Te₆% (1/2层) Ni₃Te₄，对应形成不同的平面超结构（包括(√3 ×√3)R30°、2 × 1等超晶格）。相关研究成果发表于《ACS Nano》On-Site Synthesis and Characterizations of Atomically-Thin Nickel Tellurides with Versatile Stoichiometric Phases through Self-Intercalation。