据华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室官网报道，近日，华南理工大学黄飞/应磊团队与浙江大学金一政课题组、王林军课题组合作，在高性能蓝、绿光量子点发光二极管（QLED）的开发上取得进展。研究者揭示了无机量子点/有机高分子界面的电荷转移机制，继而通过调控高分子空穴传输材料的分子结构，有效地抑制了器件的载流子泄漏，从而同时创造了蓝、绿光QLED的效率/寿命新纪录，尤其是绿光QLED的性能已经满足显示业界的应用需求。研究团队设计并合成了系列基于刚性共聚单元的咔唑-芴交替共聚聚合物（PF8Cz，已在东莞伏安光电科技有限公司实现生产和销售），并通过合成方法的调控实现了高分子量。该材料与传统聚合物传输层相比，具有更浅的LUMO能级与更小的能量无序，因而表现出优异的电子阻挡能力。最终，利用此空穴传输材料，研究团队构筑了高性能蓝、绿光QLED原型器件，最高外量子效率分别达21.9%与28.7%，且高效率窗口覆盖了从显示到通用照明的亮度范围。蓝、绿光QLED分别实现了长达4400小时与58万小时的工作寿命（100尼特下亮度衰减95%），均是目前报道过的QLED最高值。该研究为QLED器件的材料设计提供了关键的新策略，实现了性能满足显示应用需求的绿光QLED原型器件，有望推动量子点印刷显示技术的实用化进程。该成果近日以“Solution-processed green and blue quantum-dot light-emitting diodes with eliminated charge leakage”为题发表于Nature Photonics。