太原理工大学郝阳和郝玉英（共同通讯作者）等人报道了他们通过将纯相的二维半导体MoSe2纳米片作为添加剂引入PbI2前驱体溶液中，达到了提高Pbl2转化率，改善PVK薄膜形貌和结晶性，同时降低残余应力，调控PVK能级的效果。作者发现二维半导体MoSe2纳米片起到了干扰了PbI2的定向生长的作用，导致晶粒随机堆积，形成了多孔PbI2薄膜。低结晶度的多孔PbI2薄膜可为FAI/MAI提供良好的扩散通道,有助于PbI2完全转化，很大程度上消除了PbI2残留，增加了PVK的晶粒尺寸和结晶度。另一方面，位于PVK层底部的MoSe2纳米片可以释放PVK在热退火过程中形成的残余应力，并实现更匹配的界面能级排列。结果表明，添加二维MoSe2 纳米片的PSCs的平均光电转换效率（PCE）由标准器件的19.40%提高到21.76%，最优PCE达到22.80%。同时，MoSe2纳米片掺杂的PSCs稳定性也得到了提升。研究成果以题为“Pure 2H Phase MoSe2 Nanosheets Promote Formation of Porous PbI2 Film and Modulate Residual Stress for Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells”发布在期刊Journal of Materials Chemistry C上。