激子绝缘体(EIs)产生于半导体中束缚电子-空穴对(激子)的形成，为量子多玻色子物理提供了固态平台。强激子-激子排斥力有望通过抑制密度和相位波动来稳定凝聚超流体和晶相。尽管已经报道了EI的光谱特征，但强相关EI态的确凿证据仍然不多见。美国康奈尔大学Kin Fai Mak、Jie Shan课题组演示在过渡金属二硫化物(TMD)半导体双层中形成的强相关二维(2D) EI基态。当两个电隔离TMD层之间施加的偏压调节到一个填充束缚电子-空穴对而不是自由电子或空穴的范围时，产生了一个准平衡的空间间接激子流体。电容测量表明流体是激子可压缩但电荷不可压缩的，这是EI的直接热力学证据。流体也与无量纲激子耦合常数超过强相关。本工作构建了一个激子相图，揭示了莫特跃迁和相互作用稳定的准凝聚。随着激子密度的增加，每个激子的熵变先迅速下降，然后缓慢下降。还观察到一个广泛的熵峰附近的莫特密度。这与低温下莫特临界点的存在有关。由于本研究中最低测量温度为10k，我们无法获得莫特临界点。本工作的实验为实现奇异的激子量子相位以及多端激子电路的应用铺平了道路。研究成果以“Strongly correlated excitonic insulator in atomic double layers”为题发表于Nature。